半導(dǎo)體分立器件包括哪些類別？

半導(dǎo)體分立器件包括哪些類別？

半導(dǎo)體分立器件主要包括半導(dǎo)體二極管、三極管、三極管陣列、MOS場效應(yīng)管、結(jié)型場效應(yīng)管、光電耦合器、可控硅等各種兩端和三端器件。

國軍標(biāo)為什么要規(guī)定采用脈沖測試方法？

在分立器件中有一些參數(shù)的測試時需要向被測器件施加較大的電流和功率，例如二極管的正向壓降VF，三極管的飽和壓降VCES、VBES，放大倍數(shù)HFE等，這些參數(shù)的測試（特別是功率器件）由于功率的施加，將導(dǎo)致器件的附加溫升，進(jìn)而造成器件參數(shù)的變化和漂移。為避免這一問題的發(fā)生，美軍標(biāo)和國軍標(biāo)都規(guī)定了脈沖測試的方法和規(guī)范。規(guī)定采用小占空比（2%）和窄脈沖（300uS）完成相關(guān)參數(shù)的測試。采用脈沖測試法可以真實(shí)反映器件在不同環(huán)境溫度下的特性，特別是對使用環(huán)境較為惡劣的軍用器件，更需采用脈沖法測試。因此國外的半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)幾乎都采用脈沖法進(jìn)行測試。